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参数资料
| 型号： | APTCV40H60CT1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | APTCV40H60CT1G |
Agere Systems Inc.
3
Preliminary Data Sheet
AGRB10E
February 2004
10 W, 1.0 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Electrical Characteristics (continued)
Recommended operating conditions apply unless otherwise specified: TC = 30 °C.
Table 5. RF Characteristics (1626 MHz—1661 MHz)
1. Across band, 1626 MHz—1661 MHz.
Table 6. RF Characteristics (1805 MHz—1880 MHz)
1. Across band, 1805 MHz—1880 MHz.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 28 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—16
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 28 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—61
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 28 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 28 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 28 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (in Agere Systems Supplied Test Fixture)1
Power Gain (VDS = 26 V, POUT = 3 W, IDQ = 115 mA)
GPS
—16
—
dB
Drain Efficiency (VDS = 26 V, POUT = P1dB, IDQ = 115 mA)
η
—60
—
%
Third-order Intermodulation Distortion
(100 kHz spacing, VDS = 26 V, POUT = 10 WPEP, IDQ = 115 mA)
IM3
—
–32
—
dBc
Output Power (VDS = 26 V, 1 dB gain compression, IDQ = 115 mA)
P1dB
—
10
—
W
Input Return Loss
IRL
—
–10
—
dB
Ruggedness
(VDS = 26 V, POUT = 10 W, IDQ = 115 mA, VSWR = 10:1, all
angles)
ψ
No degradation in output power.
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PDF描述 |
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