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参数资料
| 型号： | APTGF150A120T3WG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | APTGF150A120T3WG |
Data Sheet D10836EJ2V0DS
2
AB1 SERIES
AB1A4A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
DC current gain
hFE1 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.1 A
300
DC current gain
hFE2 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.5 A
300
DC current gain
hFE3 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.7 A
135
Collector saturation voltage
VCE(sat) **
IC = 5.0 A, IC = 5 mA
0.27
0.4
V
Low level input voltage
VIL **
VCE = 5.0 V, IC = 100
A
0.3
V
Input resistance
R1
E-to-B resistance
R2
710
13
k
** PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2 %
AB1L2Q
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
DC current gain
hFE1 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.1 A
150
400
DC current gain
hFE2 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.5 A
300
700
DC current gain
hFE3 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.7 A
135
600
Low level output voltage
VOL **
VIN = 5.0 V, IC = 0.5 A
0.2
0.3
V
Low level input voltage
VIL **
VCE = 5.0 V, IC = 100
A
0.3
V
Input resistance
R1
329
470
611
E-to-B resistance
R2
3.29
4.7
6.11
k
** PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2 %
AB1A3M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
DC current gain
hFE1 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.1 A
80
DC current gain
hFE2 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.5 A
100
DC current gain
hFE3 **
VCE = 2.0 V, IC = 0.7 A
135
Low level output voltage
VOL **
VIN = 5.0 V, IC = 0.5 A
0.3
0.4
V
Low level input voltage
VIL **
VCE = 5.0 V, IC = 100
A
0.3
V
Input resistance
R1
0.7
1.0
1.3
k
E-to-B resistance
R2
0.7
1.0
1.3
k
** PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2 %
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