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参数资料
| 型号： | APTGF150A120T3WG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 210 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | APTGF150A120T3WG |
Data Sheet D10836EJ2V0DS
5
AB1 SERIES
TYPICAL CHARACTERISTICS (TD = 25
°°°°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF150A120T | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150A120T | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF150DH120 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGF150DU120T | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF150A120TG | 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF150A60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module |
| APTGF150DA120TG | 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF150DH120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF150DH120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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