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参数资料
| 型号： | APTGF150DH120 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | APTGF150DH120 |
APTGF150DH120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2mA
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 150A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 5 mA
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
Min
1200
4.5
Typ
0.2
12
3.3
4
Max
3
3.9
6.5
±500
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
mA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 150A
R
G
= 5
Min
Typ
10.5
1.5
0.8
70
50
500
30
8.5
9
Max
Unit
nF
ns
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 200A
I
F
= 400A
I
F
= 200A
I
F
= 200A
V
= 800V
di/dt =400A/μs T
j
= 125°C
I
F
= 200A
V
= 800V
di/dt =400A/μs T
j
= 125°C
Min
Typ
200
2.0
2.3
1.8
Max
2.5
Unit
A
Tc = 70°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
420
t
rr
Reverse Recovery Time
580
ns
T
j
= 25°C
2.5
Q
rr
Reverse Recovery Charge
10.7
μC
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF150H120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
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