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参数资料
| 型号： | APTGF150DH120 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | APTGF150DH120 |
APTGF150DH120
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
50
100
150
200
250
300
4
6
8
10
12
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=600V
V
CE
=800V
0
4
8
12
16
20
0
250
500
750
1000
1250
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 150A
T
J
= 25°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
T
C
, Case Temperature (°C)
50
75
100
125
150
I
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
50
Ic, Collector current (A)
100
150
200
t
Switching times vs collector current
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
=5
T
J
= 125°C
Cres
Coes
Cies
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
C
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Gate resistance (Ohms)
S
Switching energy losses vs Gate resistance
V
CE
= 600V
V
GE
=
±
15V
I
C
=150A
T
J
= 125°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF150DH120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF150DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
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| APTGF150H120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF150H120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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