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参数资料
| 型号： | APTGF150H120 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | APTGF150H120 |
APTGF150H120
A
PT
G
F1
50
H
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0
1
2
3
4
Ic
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
Ic
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
50
100
150
200
250
300
4
6
8
10
12
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=600V
VCE=800V
0
4
8
12
16
20
0
250
500
750
1000
1250
Gate Charge (nC)
V
G
E,
G
at
e
to
E
m
itt
er
V
ol
ta
ge
(V
)
IC = 150A
TJ = 25°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
ol
le
ct
or
C
ur
re
nt
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
50
100
150
200
Ic, Collector current (A)
tim
e
(n
s)
Switching times vs collector current
VCE = 600V
VGE=±15V
RG=5
TJ = 125°C
Cres
Coes
Cies
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(n
F)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12 16 20 24 28 32
Gate resistance (Ohms)
S
w
itc
hi
ng
E
ne
rg
y
lo
ss
es
(m
J)
Switching energy losses vs Gate resistance
VCE = 600V
VGE=±15V
IC=150A
TJ = 125°C
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PDF描述 |
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