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参数资料
| 型号： | APTGF150H120 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | APTGF150H120 |
APTGF150H120
A
PT
G
F1
50
H
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
0
50
100
150
200
250
300
350
0
300
600
900
1200
1500
I C
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
Minimum Switching Safe Operating
Area
Switching times vs gate resistor
tdon
tdoff
tr
tf
10
100
1000
10000
0
10
20
30
40
Gate resistance (Ohms)
tim
e
(n
s)
VCE = 600V, VGE=±15V
IC=150A, TJ = 125°C
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
IC, Collector Current (A)
Fm
ax
,O
pe
ra
tin
g
Fr
eq
ue
nc
y
(k
H
z)
Operating Frequency vs Collector Current
VCE = 800V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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