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参数资料
| 型号： | APTGF150X60TE3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, E3, 35 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | APTGF150X60TE3G |
APTGF150X60TE3G
A
P
T
G
F
150
X
60T
E
3G
–
R
ev
2
A
pr
il,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
00.511.522.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
012
345
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
3
6
9
12
0
100
200
300
400
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 1.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
02468
10
12
14
16
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=1.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
da
n
c
e
(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF200DA120D3G | IGBT |
| APTGF200SK120D3G | IGBT |
| APTGF25A120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF15A120T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF15H120T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF15H120T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF15H120T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF15X120E2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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