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参数资料
| 型号： | APTGF180A60T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | APTGF180A60T |
APTGF180A60T
A
PT
G
F180A
60T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.15
RthJC
Junction to Case
Diode
0.32
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
W
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
ú
ù
ê
é
÷÷
è
-
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Package outline
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF180DA60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180DU60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180H60G | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF200A120D3G | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF200U60D4 | 250 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF180A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF180DA60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF180DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF180DH60G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF180DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
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