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参数资料
| 型号： | APTGF300A120G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6, MODULE-7 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | APTGF300A120G |
APTGF300A120G
A
P
T
G
F
300
A
120G
–
R
ev
2
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.07
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.12
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
To heatsink
M6
3
5
Torque Mounting torque
For terminals
M5
2
3.5
N.m
Wt
Package Weight
280
g
SP6 Package outline (dimensions in mm)
See application note APT0601 - Mounting Instructions for SP6 Power Modules on www.microsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF300DA120D3G | IGBT |
| APTGF300DU120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30H60T1G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30TL60T3G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF360U60D4G | 450 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF300A120T6G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300DA120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300DA120G | 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300DU120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF300DU120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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