- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57949 > APTGF300A120G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGF300A120G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6, MODULE-7 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | APTGF300A120G |
APTGF300A120G
A
P
T
G
F
300
A
120G
–
R
ev
2
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
100
200
300
400
500
600
0
123
45
6
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
5
678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
500
600
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 3
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8 101214 1618 20
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 300A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
600
700
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=3
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF300DA120D3G | IGBT |
| APTGF300DU120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30H60T1G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30TL60T3G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF360U60D4G | 450 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF300A120T6G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300DA120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300DA120G | 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300DU120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF300DU120G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。