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参数资料
| 型号： | APTGF30H60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | APTGF30H60T1G |
APTGF30H60T1G
APTG
F30H60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
01
23
4
Ic,
C
o
lle
cto
rCu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
01
2
34567
89
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
lle
cto
rCu
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rVolt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
ct
or
t
o
Emit
te
rVolt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
llector
to
Emitter
B
reak
dow
n
V
o
lt
ag
e(
N
or
ma
lize
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
20406080
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
et
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 30A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
12.5
25
37.5
50
01
23
4
Ic
,
C
o
lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
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PDF描述 |
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