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参数资料
| 型号： | APTGF30H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, MODULE-25 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 292K |
| 代理商： | APTGF30H60T3G |
APTGF30H60T3G
A
P
T
G
F
30
H
60T
3G
–
R
ev
1
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
30
60
90
120
0123
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
0123
45678
9
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
r
V
o
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=60A
Ic=30A
Ic=15A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
ct
o
r
to
E
m
it
te
rB
re
ak
d
o
w
n
V
o
lt
ag
e(
N
o
rm
a
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Co
lle
ct
o
rCu
rr
e
n
t
(A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
204060
80
100
120
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 30A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01234
Ic
,C
o
lle
ct
o
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF30H60T3 | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGF330DA60D3G | 460 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF30TL601G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF30TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60BTP2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF30X60BTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60E2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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