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参数资料
| 型号： | APTGF350DU60 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual common source NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 双共源不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | APTGF350DU60 |
APTGF350DU60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.08
0.16
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
3
2
150
125
100
5
3.5
280
°C
To heatsink
For terminals
M6
M5
Torque Mounting torque
N.m
Wt
Package Weight
g
Package outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T | Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50DH120T | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF50SK120T | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF50X120E3 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF50X60E2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF350DU60G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF350SK60 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF350SK60G | 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF360U60D4 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module |
| APTGF360U60D4G | 功能描述:IGBT 600V 450A 1560W D4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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