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参数资料
| 型号： | APTGF350DU60 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Dual common source NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 双共源不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | APTGF350DU60 |
APTGF350DU60
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
15
20
25
30
35
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 25°C
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
50
100
150
200
250
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
20
40
60
80
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 400V, V
GE
= 15V, R
G
= 1.25
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
8
16
24
32
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
R
G
= 1.25
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
4
8
12
16
20
24
100
200
300
400
500
600
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
o
,
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
Eon, 720A
Eoff, 720A
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
0
16
32
48
64
0
2
4
6
8
10
12
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 720A
Eoff, 720A
Eon, 360A
Eoff, 360A
Eon, 180A
Eoff, 180A
0
8
16
24
32
40
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 400V
V
GE
= 15V
R
G
= 1.25
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PDF描述 |
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