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参数资料
| 型号： | APTGF50A120T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Phase leg NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 腿不扩散核武器条约相IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
40
80
120
160
200
0
2
4
6
8
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
4
8
12
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=240V
V
CE
=600V
V
CE
=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
9
C
,
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
C
(
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50DH120T | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF50SK120T | Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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| APTGF50X60E2 | 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF50A120T3WG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50A120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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