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参数资料
| 型号： | APTGF50A120T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
0
246
8
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
01234
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
04
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
E
m
it
te
rVo
lt
a
g
e(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11121314
15
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
Emit
te
rVo
lt
a
g
e(
V
)
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
Emit
te
rVo
lt
a
g
e
(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
c
to
rt
o
Emit
te
rB
re
ak
d
o
w
n
Vo
lt
ag
e
(N
o
rma
lize
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
255075
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF530U120D4G | IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50A120T3WG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50A120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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