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参数资料
| 型号： | APTGF50A120T |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
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TJ=125°C
200
250
300
350
400
0
25
50
75
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125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
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VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V
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50
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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,R
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T
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n
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Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Turn-
O
n
E
n
e
rgy
L
o
s
s(
m
J)
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Turn-
of
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Los
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
102030
40
50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
ing
E
n
e
rgy
Los
s
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(
m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
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g
En
e
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y
L
o
s
ses
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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