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参数资料
| 型号： | APTGF50A60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | APTGF50A60T1G |
AP85T08GS/P
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3/4
0
50
100
150
200
250
0369
12
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =25
o C
V G =3.0V
10V
7.0 V
5.0V
4.5V
0
30
60
90
120
036
9
12
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C = 150
o C
V G =3.0V
10V
7.0 V
5.0V
4.5V
10
11
12
13
14
24
68
10
V GS Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =20A
T C =25
o C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =45A
V G =10V
0
10
20
30
40
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
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