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参数资料
| 型号： | APTGF50DA120CT1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | APTGF50DA120CT1G |
APTGF50DA120CT1G
APT
G
F50DA120CT
1G
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
4 – 7
Typical IGBT Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
01
23
45
6
Ic
,C
o
lle
c
to
r
C
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
01
2
3
4
Ic
,Co
ll
ec
to
rCur
rent
(A)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
0246
8
10
12
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
Col
lector
Cu
rr
e
n
t(A)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
a
te
t
o
Emit
te
rVol
ta
g
e
(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
Col
le
ctor
to
E
m
itte
r
Break
d
own
V
o
lt
ag
e
(Nor
m
a
li
z
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50DA120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DA120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DDA60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DDA60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DH120T3G | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50DA120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120TG | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DDA120T3G | 功能描述:IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DDA60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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