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参数资料
| 型号： | APTGF50DA120CT1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | APTGF50DA120CT1G |
APTGF50DA120CT1G
APT
G
F50DA120CT
1G
–
Rev
0
Septem
ber
,2009
www.microsemi.com
6 – 7
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
2030
4050
C
,Capaci
tance
(pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
0
400
800
1200
I C
,
Col
lecto
rC
u
rr
ent
(A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
a
lI
m
p
e
dan
ce
(°
C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
10
20
30
40
50
60
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
Fm
ax,
Oper
ati
n
g
F
req
uen
cy
(kHz
)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC= 75°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50DA120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DA120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DDA60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DDA60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DH120T3G | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50DA120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120TG | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DDA120T3G | 功能描述:IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DDA60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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