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参数资料
| 型号： | APTGF50DH120T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | APTGF50DH120T |
APTGF50DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
0.4
0.6
Unit
IGBT
Diode
R
thJC
Junction to Case
°C/W
V
ISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
Operating junction temperature range
Storage Temperature Range
Operating Case Temperature
Torque Mounting torque
Wt
Package Weight
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
R
25
Resistance @ 25°C
B
25/85
T
25
= 298.16 K
R
T
exp
2500
V
T
J
T
STG
T
C
-40
-40
-40
150
125
100
4.7
160
°C
To Heatsink
M5
N.m
g
Min
Typ
68
4080
Max
Unit
k
K
T
T
B
R
1
1
25
85
/
25
25
Package outline
T: Thermistor temperature
R
T
: Thermistor value at T
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PDF描述 |
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