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参数资料
| 型号： | APTGF50DH120T |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| 中文描述： | 非对称-桥不扩散核武器条约IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | APTGF50DH120T |
APTGF50DH120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
6 - 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
C
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
400
800
1200
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0
10
20
30
40
50
60
70
10
20
30
40
50
60
I
C
, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
F
V
CE
= 600V
D = 50%
R
G
= 5
T
J
= 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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