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参数资料
| 型号： | APTGF50DSK120T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | APTGF50DSK120T3G |
APTGF50DSK120T3G
APT
G
F50DSK120T
3G
–
Rev
0
Ap
ril,
2009
www.microsemi.com
4- 7
Typical IGBT Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
02
468
Ic
,C
o
ll
e
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
012
34
Ic
,C
o
lle
c
tor
C
u
rr
e
nt
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
04
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
c
tor
C
u
rr
e
nt
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
E
m
it
te
rVolta
g
e
(V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ect
o
rt
o
Em
it
te
rB
reakd
ow
n
Vo
lt
ag
e
(Nor
m
a
li
z
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,
D
C
o
ll
e
c
tor
C
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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