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参数资料
| 型号： | APTGF50TA120P |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-21 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | APTGF50TA120P |
APTGF50TA120P
A
P
T
G
F
50
T
A
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 500 A
1200
V
Tj = 25°C
500
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
2500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
4.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20 V, VCE = 0V
100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3450
Coes
Output Capacitance
330
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
220
pF
Qg
Total gate Charge
330
Qge
Gate – Emitter Charge
35
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
5.4
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
2.3
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
6.9
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
3.05
mJ
Eon includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50TA120P | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DA120T1G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75H120TG | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50TA120PG | 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module |
| APTGF50TDU120PG | 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TL60T3G | 功能描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50VDA120T3G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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