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参数资料
| 型号： | APTGF50TA120P |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-21 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | APTGF50TA120P |
APTGF50TA120P
A
P
T
G
F
50
T
A
120P
–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
02
468
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
01
234
Ic
,Co
lle
ct
o
rCu
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
4
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,Co
lle
ct
o
rCu
rr
e
n
t
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
ate
to
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10111213141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rto
E
m
it
ter
V
o
ltag
e(V
)
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
ll
ect
o
rto
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e(V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
0
255075
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
lle
cto
rto
E
m
it
te
rB
re
akd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(N
orm
a
liz
e
d)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
Co
lle
ct
o
rCu
rr
en
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50TA120P | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DA120T1G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF50TDU120P | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Triple dual Common Source NPT IGBT Power Module |
| APTGF50TDU120PG | 功能描述:IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50TL60T3G | 功能描述:IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50VDA120T3G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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