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参数资料
| 型号： | APTGF75DA120T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | APTGF75DA120T1G |
APTGF75DA120T1G
APTG
F75DA
120T1G
–
Re
v0
Augu
st
,2
007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
0123456
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
150
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 7.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
0
102030
4050
6070
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 75A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=7.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
ma
lImp
eda
nc
e(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF75DH120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGF90A60T1G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF75DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
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