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参数资料
| 型号： | APTGF90A60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | APTGF90A60T1G |
APTGF90A60T1G
APTG
F90A60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
3 – 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.3
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.65
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
80
g
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
SP1 Package outline (dimensions in mm)
See application note 1904 - Mounting Instructions for SP1 Power Modules on www.microsemi.com
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90DH60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DH60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60T3G | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF90A60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module |
| APTGF90A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DA60CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APTGF90DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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