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参数资料
| 型号： | APTGF90A60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | APTGF90A60T1G |
APTGF90A60T1G
APTG
F90A60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
6 – 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
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20
30
40
50
C,
Cap
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(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
0
200
400
600
800
I C
,C
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Cu
rr
en
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Impe
da
nc
e(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
20
40
60
80
100
120
IC, Collector Current (A)
F
m
a
x,
Op
era
ti
n
g
Fr
eq
ue
nc
y(
k
Hz
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC = 75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90DH60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DH60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90DU60T | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF90H60T3G | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF90A60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module Power Module |
| APTGF90A60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF90DA60CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APTGF90DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF90DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 130A 445W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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