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参数资料
| 型号： | APTGL475A120D3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | APTGL475A120D3G |
APTGL475A120D3G
APT
G
L
475A120D
3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
01
2
3
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=19V
VGE=9V
0
200
400
600
800
01
234
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
20
40
60
80
0
200
400
600
800
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 1.
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Err
0
30
60
90
120
150
180
02.5
57.5
10
Gate Resistance (ohms)
E
(mJ
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 400A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
160
320
480
640
800
960
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=1.
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
(°
C
/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGL475SK120D3G | IGBT |
| APTGL475U120D4G | IGBT |
| APTGL60TL120T3G | 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A120T3AG | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APTGL475SK120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 610A 2080W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGL475U120D4G | 功能描述:IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGL475U120DAG | 功能描述:POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGL60A120T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
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