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参数资料
| 型号： | APTGT150DA120TG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP4, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | APTGT150DA120TG |
APTGT150DA120TG
A
P
T
G
T
150
D
A
120
T
G
–
R
ev
1
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
012
34
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 2.2
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
2
6
10
14
18
22
26
30
34
0
2468
10 12 14 16 18
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE= 600V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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