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参数资料
型号： APTGT150DH170
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-8
文件页数： 4/4页
文件大小： 271K
代理商： APTGT150DH170
10/100 BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS
15
ALLIED COMPONENTS INTERNATIONAL
714-665-1140
www.alliedcomponents.com
RoHS
REVISED 3/06/09
AH1654C_
AH1637C_, AH1655C_
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PDF描述
APTGT150DH170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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参数描述
APTGT150DH170G 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT150DU120 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU120G 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APTGT150DU120T 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
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