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参数资料
| 型号： | APTGT150SK120D1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-7 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | APTGT150SK120D1G |
APTGT150SK120D1G
APTG
T150SK120
D1G
–
Rev
2
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
3- 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.34
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
10
50
90
130
170
210
IC (A)
F
m
ax
,Op
erati
n
g
F
req
u
e
n
cy
(kH
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rma
lImpe
da
n
c
e
(°
C/W
)
Diode
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