- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51273 > APTGT150TL60G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGT150TL60G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6, 12 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | APTGT150TL60G |
APTGT150TL60G
APT
G
T
150T
L
60G
–
Rev0
M
ar
ch,
2
009
www.microsemi.com
6- 7
CR1 to CR4 Typical performance curve
Energy losses vs Collector Current
0
1
2
3
4
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IF (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
RG = 3.3
TJ = 150°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
IC = 100A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT150X120E3G | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150X120TE3 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200A120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200A120 | 280 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200A170D3 | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT150X120E3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:3 PHASE BRIDGE TRENCH + FIELD STOP IGBT POWER MODULE 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT200A120 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT200A120D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT200A120D3G | 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT200A120G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。