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参数资料
| 型号： | APTGT20H60T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | APTGT20H60T1G |
APTGT20H60T1G
APTGT20H
60
T
1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
0
1020
3040
IC (A)
E
(m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 12
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
10
30
50
70
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 20A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=12
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
al
Im
pe
da
nce
(
°C/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT20H60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20H60T3 | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT20X60T3G | 32 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT225A170 | 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT225A170 | 340 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT20H60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT20H60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT20TL601G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT20TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT20X60T3G | 功能描述:IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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