参数资料
型号: APTGT300A120D3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-7
文件页数: 5/5页
文件大小: 212K
代理商: APTGT300A120D3G
APTGT300A120D3G
APT
G
T
300A120D
3G
Rev
1
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
IC (A)
Fm
ax
,Ope
ra
ti
ng
Fre
q
u
e
nc
y
(
k
H
z
)
VCE=600V
D=50%
RG=2.2
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lI
m
peda
nc
e
(°C/
W
)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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