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参数资料
| 型号： | APTGT300DA170 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 升压斩波器沟槽场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | APTGT300DA170 |
APTGT300DA170
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
I
C
(
Output Characteristics
V
GE
=15V
V
GE
=13V
V
GE
=20V
V
GE
=9V
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
V
CE
(V)
I
C
T
J
= 125°C
Transfert Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
(V)
I
C
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
40
80
120
160
200
240
0
100
200
300
400
500
600
I
C
(A)
E
V
CE
= 900V
V
GE
= 15V
R
G
= 2.2
T
J
= 125°C
Eon
Eoff
Er
0
40
80
120
160
200
240
0
3
Gate Resistance (ohms)
6
9
12
15
E
V
CE
= 900V
V
GE
=15V
I
C
= 300A
T
J
= 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
600
700
0
400
800
1200
1600
2000
V
CE
(V)
I
C
V
GE
=15V
T
J
=125°C
R
G
=2.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.00001
0.0001
0.001
rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGT300DA60D3G | 功能描述:IGBT 600V 400A 940W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA60D3G_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module |
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