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参数资料
| 型号： | APTGT300DA170 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 升压斩波器沟槽场站IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | APTGT300DA170 |
APTGT300DA170
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
F
(V)
I
C
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
0
80
160
240
320
400
480
I
C
(A)
F
V
CE
=900V
D=50%
R
G
=2.2
T
J
=125°C
T
C
=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.00001
0.0001
0.001
rectangular Pulse Duration (Seconds)
0.01
0.1
1
10
T
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGT300DA170D3 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT300DA170D3G | 功能描述:IGBT 1700V 530A 1470W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA170G | 功能描述:IGBT 1700V 400A 1660W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA60D3G | 功能描述:IGBT 600V 400A 940W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT300DA60D3G_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module |
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