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参数资料
| 型号： | APTGT300U170D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 530 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D4, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | APTGT300U170D4G |
APTGT300U170D4G
APT
G
T
300U170D
4G
–
Rev
0
Novem
ber
,2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
150
300
450
600
00.5
11.5
22.5
3
3.5
4
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
150
300
450
600
0
1
23
45
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
150
300
450
600
56
789
10
11
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
75
150
225
300
0
150
300
450
600
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 4.5
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
0
1020
3040
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 300A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
150
300
450
600
750
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=4.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rmal
Im
pe
da
nc
e
(°C
/W)
IGBT
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGT30A170D1G | 功能描述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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