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参数资料
| 型号： | APTGT30TL60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | APTGT30TL60T3G |
APTGT30TL60T3G
APT
G
T
30T
L
60T
3G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
1- 7
Q1 to Q4 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
50
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
30
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
60
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
90
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
60A @ 550V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
Example: 10/11/12 ; 7/8 …
VCES = 600V
IC = 30A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Three level inverter
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT35A120D1 | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APTGT35A120T1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT35DA120D1G | 功能描述:IGBT 1200V 55A 205W D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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