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参数资料
型号： APTGT30TL60T3G
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数： 2/6页
文件大小： 211K
代理商： APTGT30TL60T3G
APTGT30TL60T3G
APT
G
T
30T
L
60T
3G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Q1 to Q4 Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 600V
250
A
Tj = 25°C
1.5
1.9
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 150°C
1.7
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 400A
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Q1 to Q4 Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
1600
Coes
Output Capacitance
110
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
50
pF
QG
Gate charge
VGE=±15V, IC=30A
VCE=300V
0.3
C
Td(on)
Turn-on Delay Time
110
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
200
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
40
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
120
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (150°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
60
ns
Tj = 25°C
0.16
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 150°C
0.3
mJ
Tj = 25°C
0.7
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 30A
RG = 10Ω
Tj = 150°C
1.05
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 360V
tp ≤ 6s ; Tj = 150°C
150
A
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
1.6
°C/W
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PDF描述
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