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参数资料
| 型号： | APTGT35X120RTP3 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| 中文描述： | 输入整流桥制动三相桥沟道IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APTGT35X120RTP3 |
APTGT35X120RTP3
APTGT35X120BTP3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 4
IGBT & Diode Brake
(only for APTGT35X120BTP3)
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Max ratings
1200
40
25
65
±20
160
15
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
I
F
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
DC Forward Current
A
V
W
A
IGBT & Diode Inverter
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
55
35
80
±20
200
80A @ 1100V
35
50
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
T
C
= 80°C
t
p
= 1ms
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Save Operating Area
I
F
DC Forward Current
I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
2.
Electrical Characteristics
Diodes Rectifier
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
R
Reverse Current
V
F
Forward Voltage
R
thJC
Junction to Case
IGBT Brake & Diode
(only for APTGT35X120BTP3)
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
A
Test Conditions
V
R
= 1600V
I
F
= 50A
Min
Typ
3
1.0
Max
0.65
Unit
mA
V
°C/W
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
GE
= 15V
I
C
= 25A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V,
V
CE
= 25V
f = 1MHz
V
GE
= 0V
I
F
= 35A
Min
Typ
Max Unit
4
2.1
6.5
600
2.7
0.6
1.5
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.4
5.0
1.7
2.0
5.8
1808
95
82
2.3
2.5
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
nA
pF
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
IGBT
Diode
V
F
Forward Voltage
V
R
thJC
Junction to Case
°C/W
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PDF描述 |
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| APTGT400A120G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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