参数资料
型号: APTGT400SK60D3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 210K
代理商: APTGT400SK60D3G
APTGT400SK60D3G
APT
G
T
400SK60
D
3G
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
100
200
300
400
500
600
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
0
100
200
300
400
500
IC (A)
Fma
x
,Ope
rat
in
g
F
re
que
ncy
(
k
H
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=1.5
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lImpe
danc
e
(
°C
/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
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