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参数资料
| 型号： | APTGT50TDU170P |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Triple Dual Common Source Trench IGBT Power Module |
| 中文描述： | 三双共源沟道IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | APTGT50TDU170P |
APTGT50TDU170P
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5 mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
Min
Typ
2.0
2.4
Max
5
2.4
6.5
600
Unit
V
mA
1700
5.0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
X
E
off
Turn-off Switching Energy
Y
X
E
on
includes diode reverse recovery
Y
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
V
RRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V ;V
CE
= 25V
f = 1MHz
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= ±15V
V
Bus
= 900V
I
C
= 50A
R
G
= 22
Diode
Min
Typ
4400
150
200
90
720
90
220
90
820
110
29
22
Max
Unit
pF
ns
ns
mJ
Test Conditions
Min
1700
Typ
1.8
1.9
19
Max
250
500
2.2
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
I
RM
Maximum Reverse Leakage Current
V
R
=1700V
μA
V
F
Diode Forward Voltage
I
F
= 50A
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
V
= 900V
di/dt =990A/μs T
j
= 125°C
V
Q
rr
Reverse Recovery Charge
30
μC
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