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参数资料
| 型号： | APTGT50X170RTP3 |
| 厂商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| 中文描述： | 输入整流桥制动三相桥沟道IGBT功率模块 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APTGT50X170RTP3 |
APTGT50X170RTP3
APTGT50X170BTP3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 4
IGBT & Diode Brake
(only for APTGT50X170BTP3)
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Max ratings
1700
70
50
100
±20
310
50
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
I
F
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
DC Forward Current
A
V
W
A
IGBT & Diode Inverter
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
70
50
100
±20
310
100A @ 1700V
50
100
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
T
C
= 80°C
t
p
= 1ms
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Save Operating Area
I
F
DC Forward Current
I
FRM
Repetitive Peak Forward Current
2.
Electrical Characteristics
Diodes Rectifier
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
R
Reverse Current
V
F
Forward Voltage
R
thJC
Junction to Case
IGBT Brake & Diode
(only for APTGT50X170BTP3)
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
A
Test Conditions
V
R
= 1600V
I
F
= 50A
Min
Typ
3
1.0
Max
0.65
Unit
mA
V
°C/W
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
Test Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
GE
= 15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2.5mA
V
GE
= 20V, V
CE
= 0V
V
GE
= 0V,V
CE
= 25V
f = 1MHz
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
Min
Typ
Max Unit
6
2.4
6.5
600
2.2
0.4
0.7
mA
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
2.4
5.8
4400
150
1.8
1.9
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
C
ies
C
res
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
5.0
V
nA
pF
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
IGBT
Diode
V
F
Forward Voltage
V
R
thJC
Junction to Case
°C/W
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PDF描述 |
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