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参数资料
| 型号： | APTGT50X60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | APTGT50X60T3G |
APTGT50X60T3G
A
P
TGT50X60T3G
–
Re
v0
Ju
ly,
20
07
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
00.5
1
1.5
22.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2040
6080
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 8.2
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
5
15
253545
5565
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=8.2
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
Therm
al
Im
p
edance
(°C/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT600DU60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DU60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGT600U120D4 | 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600U120D4 | 880 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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