- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57951 > APTGT580U60D4G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGT580U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APTGT580U60D4G |
APTGT580U60D4G
APT
G
T
580U60D4
G
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
1200
00.5
11.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
200
400
600
800
1000
1200
00.511.5
22.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
1200
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
0
150
300
450
600
750
900
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 1.5
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
50
60
70
80
02.5
57.5
10
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 600A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I F
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=1.5
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rm
a
lI
m
pe
da
n
c
e
(°
C
/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DA120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DA120T | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DA60T1G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DH60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75DH60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGT600A60 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT600A60G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT600A60G_07 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT600DA60G | 功能描述:IGBT 600V 700A 2300W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGT600DU60 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。