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参数资料
| 型号： | APTGT580U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D4, 5 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APTGT580U60D4G |
APTGT580U60D4G
APT
G
T
580U60D4
G
–
Rev
0
July,
2008
www.microsemi.com
5- 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=150°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I F
(A)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
100 200 300 400 500 600 700 800
IC (A)
Fma
x
,Ope
rat
in
g
F
re
que
ncy
(
k
H
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=1.5
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
The
rma
lImpeda
nc
e
(°
C
/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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