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参数资料
| 型号： | APTGT75DA120T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | APTGT75DA120T1G |
APTGT75DA120T1G
APTGT75D
A120
T1G
–
R
ev
0
Augus
t,
20
07
www.microsemi.com
2 – 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
250
A
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 3 mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
285
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
Tj = 125°C
8.1
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
1.6
2.1
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
170
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
280
ns
Tj = 25°C
9
Qrr
Reverse Recovery Charge
Tj = 125°C
18
C
Tj = 25°C
5
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 100A
VR = 600V
di/dt =2000A/s
Tj = 125°C
9
mJ
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PDF描述 |
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