参数资料
型号: APTGT75DA120T1G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 277K
代理商: APTGT75DA120T1G
APTGT75DA120T1G
APTGT75D
A120
T1G
R
ev
0
Augus
t,
20
07
www.microsemi.com
3 – 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.35
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.48
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M4
2.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
80
g
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.microsemi.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
SP1 Package outline (dimensions in mm)
See application note 1904 - Mounting Instructions for SP1 Power Modules on www.microsemi.com
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
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PDF描述
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